水谷・篠崎研究室2002年の学会口頭発表リスト

日本セラミックス協会第40回セラミックス基礎科学討論会
2002年 1月 (大阪)
  1. Dielectric and Ferroelectric Properties of Pb(Zr,Ti)O3/(Bi,La)4Ti3O12 Bilayered Thin Films on Pt/Ti/SiO2/Si Substrates, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, 2A-03I, 264-265

「材料データベースの今後」を考える会,
2002年 3月 (材料研究所, つくば)
  1. 初心ユーザーから見たセラミックスデータベースとは, 篠崎和夫, 12

電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究会
電子情報通信学会技術研究報告SDM2001
2002年 3月15日 (東京工業大学すずかけ台キャンパス)
  1. PZT薄膜の90°ドメイン構造のＴＥＭ観察と強誘電特性, 木口賢紀, 脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 264

日本電子顕微鏡学会　関東支部　第26回講演会
2002年3月16日（日本女子大、東京）

  1. 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭：YSZ/SiOx/Si薄膜の結晶化過程の加熱in-situ TEM観察, P14, pp.112-113

日本セラミックス協会2002年年会講演予稿集
2002年 3月24-26日 (関西大学千里山キャンパス, 大阪)
  1. タングステンブロンズ系薄膜の高温X線逆格子空間マップ測定, 佐伯　淳, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1B14, 15

  2. Structural and electrical properties of (Bi, La)3Ti4O12 thin film derived by metalorganic decomposition method, T.Chiu, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani, 2A26, 141

  3. Ferroelectric properties of several (Bi, La)4Ti3O12 composite thin films prepared by a chemical solution decomposition method, D.Bao, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani, 2A27, 141

  4. エピタキシャルPZT/LSCO/CeO2/YSZ/Si積層構造のZr/Ti比による90°ドメイン構造変化のTEM観察, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki and N. Mizutani, 2A29, 142

  5. Si基板上におけるヘテロエピタキシャルSrTiO3/MgO薄膜の固定電荷プロファイルとその電荷量, 山田智明, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 2A30, 143

  6. ゾルゲル前駆体へのエキシマレーザ照射誘起法による酸化亜鉛薄膜の緑色カソードルミネッセンス, 長瀬智美, 和田麻美子, 石村朋広, 大家利彦, 水谷惟恭, 2B37, 162

  7. MOSFETのゲート上に作成した強磁性体薄膜によるホール効果, 脇谷尚樹, 清水　完, 水上　智, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 2C24, 173

日本セラミックス協会年会第27回セラミックスに関する顕微鏡写真展
2003年3月24-26日（関西大学、大阪）
  1. SrTiO3/MgO薄膜界面の高密度不整合転位構造, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, p.312

  2. ジルコニア薄膜の結晶化過程の高分解能その場観察, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, p.313

日本電子顕微鏡学会第58回年会
2002年5月16日（大阪国際交流センター、大阪）
  1. PZT/LSCO/CeO2/YSZ/SiOx/Si積層薄膜の90｡ドメイン構造のHRTEM観察, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, P-77, p.266

  2. 断層／隆起, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, Photo5, p.272

  3. たけのこづくし, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, Photo4, p.271

The 21st International Conference
on defects in Semiconductors
2001年月 (University of Giessen, Gissen, Germany)
  1. Defects in heteroepitaxial CeO2/YSZ/Si(001) films by precise X-ray rocking curves distributions fitness, Chun-Hua Chen, Naoki Wakiya, Atsushi saiki, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , PB116, 343

International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002
Abstract book
2002年 5月 (奈良県新公会堂, 奈良県）
  1. Ferroelectric Property of PZT(001) Thin Film Deposited on Epitaxial (Ni, Zn, Fe)Fe2O4(111) Thin Film for Novel Ferroelectric/Ferropmagmetic Memory Application, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani , 30A-TF4-3C, 154

  2. Depth Profile of Fixed Charge in Epitaxial Oxide Films on Silicon Substrate for MFIS Structure, T.Yamada, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani , 30G-MM-13P, 229

  3. Role of Ultra Thin SiOx Layer on Epitaxial YSZ/SiOx/Si Thin Film as Multi Functional Buffer Layer by Nano-probe and In-situ RTEM Investigation, T.Kiguchi, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani , 31G-TE2-10P, 348

  4. Electrical Properties of Vanadium Doped Bi-La-Ti-O Thin Films Derived by Chemical Solution Deposition Method, Te-Wei Chiu, N.Wakiya, K.Shinozaki and N.Mizutani , 31H-PP1-26P, 380

The 8th International Union of Materials Research Scociety
International Conference on Electronic Materials(IUMRS-ICEM)
2002年6月12日（西安、中国）
  1. HRTEM investigation of 90｡domain structure and ferroelectric properties of multi-layered PZT thin films, Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, P-050, p.659

第１８回日本セラミックス協会関東支部研究発表会
2002年7月24-25日（カリアック、浜松市）
  1. チタン酸バリウム・ターゲットを用いたRFマグネトロン・スパッタリング法によるチタン酸バリウム薄膜の組成及び結晶構造, 金　容三、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B02, 31

  2. RFマグネトロンスパッタリング法によるLaNiO3電極/BaTiO3積層薄膜コンデンサの試作と誘電特性, 横井博和、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B03, 32

  3. MOCVD法PZT薄膜の結晶化に及ぼすPbTiO3シード層の効果, 田澤祥吾、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-07, 36

  4. 微細加工による強誘電体/FETトランジスタ構造体の試作, 朝日隆太郎、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 2B01, 63

第15回日本セラミックス協会秋季シンポジウム
2002年9月22-24日（秋田大学、秋田）
  1. セラミックス薄膜の高温格子変化における基板及びバッファー層の影響, 佐伯　淳、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3D04, 209

  2. バッファー層の最適化による高角形比(Mr/Ms)エピタキシャル(Ni, Zn)Fe2O4薄膜の作製, 脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3J02, 246

  3. 強磁性体ゲート薄膜を有するMOSトランジスタのI-V特性, 清水完、水上　智、脇谷尚樹、松山勝美、篠崎和夫、水谷惟恭, 3J07, 248

  4. 強磁性体/FETトランジスタ構造の試作とメモリーデバイスとしての可能性, 有持祐之、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3J08, 249

  5. Ni-Znフェライト薄膜を成膜したFET型トランジスタのメモリ動作への実現, 水上　智、清水　完、桜井　修、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3J09,249

  6. 超微粒子シードを用いたCSD法PZT薄膜の低温合成, 横村伸緒、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1L19, 96

  7. パルスMOCVD法で原料供給方法を変化させたPZT薄膜の微構造の高品質化, 藤戸啓輔、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 2L03, 189

  8. Si基板上におけるPb(Mg1/3, Nb2/3)O3薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性, 山田智明、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭、近藤正雄、栗原和明, 2L04, 190

  9. MOCVD法によるNb添加SrTiO3多結晶薄膜の作成とその半導性, 永戸　厚、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3L05, 261

  10. 種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能TEM観察, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 3L19, 266

  11. Structural and electrical properties of (Bi, La)4Ti3O12 thin films with a thin Bi2O3 top-layer prepared by chemical solution deposition method, Dinghua Bao, Naoki Waklya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, 3L03, 260

  12. Effect of substrate size on crystalline orientation and electrical properties of Bi-La-Ti-O thin films derived by chemical solution deposition method, 邱徳威、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 2L16, 194

第63回応用物理学会学術講演会
2002年9月24日（新潟大学、新潟）
  1. 強磁性体ゲートを用いたMOSEFT構造の試作とメモリー特性の検討, 篠崎和夫、有持祐之、脇谷尚樹、水谷惟恭, 24a-P2-21, 145

  2. YSZ/Siエピタキシャル薄膜の室温合成と誘電特性, 脇谷尚樹、石垣寛和、篠崎和夫、水谷惟恭, 24p-P4-26, 451

第22回電子材料研究討論会
2002年10月24-25日（富士通クロスカルチャーセンター、川崎）
  1. 希土類酸化物安定化ジルコニアエピタキシャルゲート絶縁膜のC-V特性向上と界面反応抑制, 木口賢紀、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-02, 23

  2. Si基板上におけるエピタキシャルPb(Mg1/3,Nb2/3)O3薄膜のバッファー構造とその誘電特性, 山田智明、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭、近藤正雄、栗原和明, 1B-03, 24

  3. パルスMOCVD法において原料供給方法がPZT薄膜の微構造と誘電特性に与える影響, 藤戸啓輔、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-04. 25

  4. Structural and electrical properties of (Bi, La)4Ti3O12 thin films with a thin Bi2O3 top-layer prepared by chemical solution deposition, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, 1B-05, 26

  5. 強磁性体薄膜の残留磁化がMOSトランジスタのI-V特性に及ぼす影響（�氈j：ゲート直上に作製したエピタキシャル(Mn, Zn)Fe2O4薄膜によるI-V特性, 清水　完、水上　智、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-06, 27

  6. 強磁性体薄膜の残留磁化がMOSトランジスタのI-V特性に及ぼす影響（�）：ゲートをはさんで作製した磁気回路・対向パターン構造によるI-V特性, 水上　智、清水　完、桜井　修、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-07, 28

  7. MOCVD法により配向制御させたNb添加SrTiO3薄膜の作製とその半導性, 永戸　厚、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 1B-08, 29

  8. 強磁性体メモリー応用を目指したエピタキシャル(Ni, Zn)Fe2O4薄膜の配向制御とドメイン構造, 脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 2A-09, 42

  9. Orientation Control of Bi-La-Ti-O Thin Films derived by Chemical Solution Deposition Method, 邱徳威、脇谷尚樹、篠崎和夫、水谷惟恭, 2PB-13, 63

The 1st Thin Film Single Crystal Symposium
2002年11月20日（ソウル、韓国）
  1. Growth of Epitaxial Thin Films and Control Residual Stress in Thin Films by introducing Buffer Layers, Kazuo Shinozaki, Naoki Wakiya and Nobuyasu Mizutani

Material Research Society 2002 Fall Meeting
2002年12月2日（Boston, USA）
  1. HRTEM Investigation of 90｡ Domain Configureuration and P-E Hysteresis Loop of Epitaxial PZT Multilayered Thin Films, Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, U5.1, pp.206

  2. HRTEM Investigation of Effect of Various Rare Earth Oxide Dopants on Epitaxial Zirconia High-K Gate Dielectrics, Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, N9.7/T7.7, pp.176

  3. Suppression of Hysteriesis in Capacitance-Voltage(C-V)Characeristics of YSZ/Si(001) and ZrO2/Si Thin Films by Nb-doping, Naoki Wakiya, Tomohiko Moriya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, N9.1/T7.1, pp.176

  4. Epitaxial Growth and Magnetic Behavior of (Ni, Zn)Fe2O4 Thin Films on Si Substrate Using Designed Buffer Layers for Novel Memory Application, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, T3.4, pp.200

  5. Role of the First Atomic Layers in Epitaxial Relationship and Interface Characteristics of SrTiO3 films on CeO2/YSZ/Si(001), Tomoaki Yamada, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, T1.7, pp.200

  6. Ferroelectric and Dielectric Properties of Chemical-Solution-Derived Bismuth Lanthanum Titanate Thin Films with Various Bismouth Oxide Template Layers, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani, U12.23, pp.210

日本結晶学会2002年年会
2002年12月11-12日（東京大学、東京）
  1. セラミックス薄膜の高温における格子変化の直接観察, 佐伯淳、篠崎和夫、水谷惟恭, OA-II-01, 30