水谷・篠崎研究室2001年の学会口頭発表リスト

日本セラミックス協会第39回セラミックス基礎科学討論会
2001年1月（津市）
  1. セラミックインテグレーション用PZT薄膜の表面組成制御による誘電特性の向上, 水谷惟恭, 玄　一, 包　定華, 篠崎和夫, 脇谷尚樹

ニューセラミックス懇話会
2001年2月 (大阪市）
  1. 電子セラミックス薄膜の特色, 水谷惟恭, 1, 1-2

インテリジェント材料シンポジウム
2001年 3月, 化学会館 (東京）
  1. 非晶質YSZ層によるYSZ/SiOx/Siエピタキシャル薄膜のC-V特性の向上と可能性, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

日本セラミックス協会2001年年会講演予稿集
2001年 3月, 早稲田大学 (東京)
  1. LaNiO3 電極を用いたRFマグネトロンスパッタリング法によるBa-Y-N-Oタングステンブロンズ薄膜の構造及び強誘電特性, 邸　徳威, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  2. Si(001)基板上に低温成膜した極薄YSZ膜の膜質に及ぼす成膜温度とSiO2層の影響, 石垣寛和, 山田智明, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  3. 強酸化N20雰囲気でのPbTiO3薄膜の組成とリーク特性, 光永英二, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  4. CeO2 (100)上 SrTiO3堆積初期過程における表面格子構造の観察とシミュレーション, 山田智明, 石垣寛和, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  5. PT薄膜の配向へのPbTi03バッファ層の役割, 石田陽平, 玄　一, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  6. Pt基板上へのPbTiO3, Pb(Zr,Ti)O3薄膜の初期成長の観察, 玄　一, 石岡陽平, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  7. Effects of residual stress on mosaic dispersions of nano-heteroepitaxial CeO2/YSZ/Si (001) films by high resolution X-ray diffraction , Chun-Hua Chen, Naoki Wakiya. Atsushi Saiki, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani

  8. 薄膜の基板による配向方位微細変動の理解のための空間的配向方位測定法, 佐伯　淳, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  9. Structural and electrical characterization of La-doped and Nb-doped BaTiO3, thin films derived by a chemical solution deposition method , Dinghua Bao, Naoki WakiyE~ Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani

  10. ゾルゲル前駆体へのエキシマレーザ照射誘起による酸化亜鉛緑色発光薄膜の新規合成法, 長瀬智美, 大家利彦, 笠石修司, 棋閏洋二, 水谷惟恭

  11. 反応性スパッタリング法によるSi上への窒化物薄膜のエピタキシャル成長実現化, 守屋智彦, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  12. MOCVD法による半導性Nb添加SrTiO3薄膜のバリスタ特性の実現, 杉浦充典, 水戸　厚, 永野犬介, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  13. PT/フェライト積層薄膜による強誘電性･強磁性相乗効果, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

  14. SiOx自然酸化膜によるYSZ/Si薄膜の結晶化促進現象のTM観察, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭

第18回強誘電体応用会議
2001年5月 (コープイン京�, i京都府京都市)
  1. 第一原子層制御によるCeO2/YSZ/Si(001)上の(001)エピタキシャルSrTiO3薄膜のMFMIS構造とその電気特性, 山田智明, 石垣寛和, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 30-T-1, 13

The 21st International Conference
on defects in Semiconductors
2001年 月 (University of Giessen, Gissen, Germany)
  1. Defects in heteroepitaxial CeO2/YSZ/Si(001) films by precise X-ray rocking curves distributions fitness, Chun-Hua Chen, Naoki Wakiya, Atsushi saiki, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , PB116, 343

第17回日本セラミックス協会関東支部研究発表会
2001年7月 (日立シビックセンター, 茨城県日立市）
  1. フェライト／Ge／Si薄膜における残留磁化によるホール効果発現の可能性, 清水　完, 水上　智, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1B15, 33

  2. PLD法によﾘ作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成､結晶構造の影響, 水上　智, 清水　完, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1B16, 34

  3. 部分加水分解PbTiO3微粒子を含むPZT組成溶液によるPZT薄膜の低温合成, 横村伸緒, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1C04, 39

  4. 下部電極がエピタキシャルPZT薄膜の残留応力と誘電特性に与える影響, 藤戸啓輔, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1C05, 40

  5. MOCVD装置用ポータブル原料ユニットの試作とその応用, 岩崎彰則, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1C06, 41

  6. MOCVD法によるNb-SrTiO3/Bi2O3/Nb-SrTiO3積層薄膜の成膜とI-V特性, 永戸　厚, 杉浦光典, 永野大介, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1C13, 48

The thirteenth International Conference on Crystal Growth in Conjunction with The Eleventh International Conference on Vapor Growth and Epitaxy
2001年8月 (同志社大学, 京都市)
  1. Change of Epitaxial Relation for SrTiO3 Films on CeO2/YSZ/Si(001) by the Control of First Atomic Layer, Tomoaki Yamada, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , 02a-S11-04, 325

電気化学会大会
2001年 9月（ 神楽坂, 東京)
  1. 薄膜物性に及ぼすバッファーレイヤーの影響, 水谷惟恭, 篠崎和夫, 脇谷尚樹

The 10th International Meeting on Ferroelectricity
2001年 月 (Madrid, Spain)
  1. Preparation and electrical properties of (Bi, La)TiO3/Pb(Zr, Ti)O3/(Bi, La)TiO3 multilayer thin films by a chemical solution deposition method, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , PS2A-10, 105

  2. A simple sol-gel technique of conductive LaNiO3 film electrodes for integrated ferroelectric thin film devices, Dinghua Bao, Xi Yao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , PS2C-29, 136

  3. Preparation and property of novel ferroelectric and ferromagnetic array structure thin film, Naoki Wakiya, Dinghua Bao, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , PS5B-30, 245

第14回日本セラミックス協会秋季シンポジウム
2001年9月 (東工大, 東京）
  1. 強誘電体(Pb(Zr, Ti)O3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性, 強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D17, 33

  2. RFマグネトロンスパッタリング法による導電性LaNiO3薄膜の低温エピタキシャル成長, 脇谷尚樹, 東　孝彰, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D18, 33

  3. Influence of N2O gas on preparation of Sr0.5Ba0.5Nb2O6 thin films, 邱　徳威, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D19, 34

  4. 電子線ホログラフィによるニッケルフェライトエピタキシャル膜の磁区構造観察, 山本和生, 平山　司, 柴田義典, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D20, 34

  5. Si(001)基板上低温化エピタキシャルYSZ薄膜の合成の実現化, 石垣寛和, 山田智明, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D22, 35

  6. 加熱TEM観察によるYSZ/SiOx/Si薄膜におけるSiOx層の還元過程の解明, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D23, 36

  7. 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャルSrTiO3/CeO2(001)薄膜の界面特性とその安定性, 山田智明, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1D25, 37

  8. MOCVD法におけるPbZrO3, PbTiO3薄膜の成膜におよぼす気相組成の影響, 大杉正樹, 岩崎彰則, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 1F21, 52

  9. Mosaic defect identification in multi-heteroepitaxial films by high-resolution X-ray diffraction, Chun-Hua Chen, Naoki Wakiya, Takanori Kiguchi, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , 1F25, 54

  10. Fatigue-free ferroelectric properties of (Bi, La)TiO3/Pb(Zr, Ti)O3/(Bi, La)TiO3 sandwich structure thin films on Pt/Ti/SiO2/Si substrates, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani , 2D08, 132

  11. CSD法によるPZT薄膜の結晶化に及ぼす酸化物微粒子分散の効果, 横村伸緒, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 2D09, 132

  12. 加熱TEM観察によるPZT薄膜の結晶成長に及ぼすシード層の効果の解明, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 3D03, 224

  13. PLD法により導入したシード層上にMOCVD法で形成したPZT薄膜の微構造と電気特性, 石田陽平, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 3D04, 225

International Workshop on Ceramic interfaces:
Properties and Applications V
2001年10月 (茨城県つくば市)ont>
  1. (001)-epitaxial growth of MgO thin films on Si(001) and the role of interfacial SiOx layer, Tomoaki Yamada, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani

  2. Orientation and property control of epitaxial (ni, Zn)Fe2O4 thin film by the introduction of ultra-thin Al2O3-doped MgO buffer layer, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki and Nobuyasu Mizutani

The 2nd Asian Meeting on Electroceramics
2001年10月 (川崎市)
  1. Preparation of Novel Metal/Ferroelectrics/Metal/Insulator/Semiconductor (MFMIS) Structure using Metallic Ferromagnetics as a Floating Gate and its Ferroelectric Properties, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani , 1A09, 16

  2. Ferroelectric and Dielectric Properties of (Bi, La)TiO3/Pb(Zr, Ti)O3 Multilayer Thin Films on LaNiO3-Coated Pt/Ti/SiO2/Si Substrates, Dinghua Bao, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani , 1A10, 17

  3. Film Thickness Dependence of Structure and Dielectric Property of Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/ BaTiO3/Pt/Ti/SiO2/Si by Grazing Incident X-ray Diffraction, Chun-Hua Chen, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani , 1A11, 18

  4. Growth Mechanism and Interface Stability of Perovskite Thin Films (SrTiO3, SrRuO3, LaNiO3) on CeO2(001) Surface, Tomoaki Yamada, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani , 1A12, 19

  5. Preparation of Tungsten Bronze Type Ferroelectric Ba0.75Y0.166Nb2O6 Thin Films by RF Magnetron Sputtering with LaNiO3 Bottom Electrodes, Te-Wei Chiu, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani , 1A17, 23

日本セラミックス協会電子材料部会第21回電子材料研究討論会
2001年10月 (川崎市）
  1. in-situ TEMによるPZT薄膜のドメイン構造形成過程の解明, 木口賢紀, 脇谷尚樹, 篠崎和夫, 水谷惟恭, 2PB-06, 81

1st International Meeting on Ferroelectric Random Access Memories (FeRAM2001)
Extended Abstracts of FeRAM2001
2001年 11月 (Gotenba)
  1. Lowering of Crystallization Temperature and Improvement of Ferroelectric Properties of Pb(Zr, Ti)O3 Thin Film by Introducing SrTiO3 Seed Layer, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani, P09, 95-96

  2. Controlling the Residual Stresses in PZT Thin Film by Introducing Different Buffer Layers, Kazuo Shinozaki, Keisuke Fujito, Ayanori Endo, Naoki Wakiya and Nobuyasu Mizutani, P10, 97-98

  3. HRTEM analysis of PZT thin film structure, Takanori Kiguchi, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, and Nobuyasu Mizutani, P29, 134-135

The 13th Symposium of The Materials Research Society of Japan
Program and Abstracts
2001年 12月 (KSP, 川崎)
  1. Cause of Residual Stress in Thin Film and Its Control by Introducing Buffer Layers, Kazuo Shinoizaki, Naoki Wakiya and Nobuyasu Mizutani, A2-S07, 53

    2.